GaN

Công nghệ sạc nhanh GaN (Gallium Nitride) là một công nghệ mới và tiên tiến trong lĩnh vực sạc pin điện tử, được xem là một sự thay thế tiềm năng cho silicon truyền thống, được sử dụng rộng rãi trong việc sản xuất các bộ sạc và các thiết bị điện tử khác.

PD3.0

USB Power Delivery (PD) là một chuẩn kết nối USB tiên tiến, cho phép truyền tải dữ liệu và cung cấp nguồn điện đến các thiết bị điện tử di động và máy tính. PD 3.0 là phiên bản tiên tiến nhất của chuẩn USB Power Delivery.

PPS

PPS là viết tắt của "Programmable Power Supply" hoặc "Power Delivery Programmable Power Supply". Đây là một công nghệ trong chuẩn USB Power Delivery (USB PD) được phát triển bởi USB Implementers Forum (USB-IF), nhằm cung cấp khả năng điều chỉnh dòng điện và điện áp theo nhu cầu của thiết bị cụ thể đang được sạc.

QC3.0

QC3.0 viết tắt của "Quick Charge 3.0", là một công nghệ sạc nhanh được phát triển bởi công ty Qualcomm. Được giới thiệu lần đầu vào năm 2016, Quick Charge 3.0 là một trong những phiên bản tiên tiến nhất của công nghệ sạc nhanh Quick Charge của Qualcomm tại thời điểm đó.

OTP

OTP là viết tắt của "Over Temperature Protection" (Bảo vệ Quá Nhiệt Độ). Đây là một tính năng được tích hợp vào các thiết bị điện tử hoặc các bộ nguồn điện, nhằm bảo vệ chúng khỏi tổn thương do quá nhiệt độ.

OVP

OVP là viết tắt của "Over Voltage Protection" (Bảo vệ Quá Áp). Đây là một tính năng được tích hợp vào các thiết bị điện tử hoặc các bộ nguồn điện, nhằm bảo vệ các linh kiện và thiết bị khỏi tổn thương do quá áp.

OLP

OLP là viết tắt của "Overload Protection" (Bảo vệ Quá Tải). Đây là một tính năng được tích hợp vào các thiết bị điện tử hoặc các bộ nguồn điện, nhằm bảo vệ chúng khỏi tổn thương do quá tải.

OCP

OCP là viết tắt của "Overcurrent Protection" (Bảo vệ Quá Dòng). Đây là một tính năng được tích hợp vào các thiết bị điện tử hoặc các bộ nguồn điện, nhằm bảo vệ chúng khỏi tổn thương do dòng điện vượt quá mức tối đa cho phép.